Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Kingston 39P5429-006.AO01 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB

Различия

  • Выше скорость чтения
    6 left arrow 19.1
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    27 left arrow 44
    Около -63% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    16.2 left arrow 1,892.9
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    17000 left arrow 6400
    Около 2.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    44 left arrow 27
  • Скорость чтения, Гб/сек
    6,181.5 left arrow 19.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,892.9 left arrow 16.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 17000
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    851 left arrow 3784
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения