RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB против Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
6
19.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость записи
16.2
1,892.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
6,181.5
19.1
Скорость записи, Гб/сек
1,892.9
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
851
3784
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link