RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
57
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
28
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
13.0
Скорость записи, Гб/сек
5.5
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2586
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C14 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FA 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4D 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link