RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
57
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
5.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
57
27
Скорость чтения, Гб/сек
6.8
14.6
Скорость записи, Гб/сек
5.5
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1244
2409
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X8GE2666C16K8 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD1 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9905701-032.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link