RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Confronto
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Punteggio complessivo
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
57
Intorno -111% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.6
6.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.5
5.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
57
27
Velocità di lettura, GB/s
6.8
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.5
10.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1244
2409
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMX8GX3M1A1600C11 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905744-035.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD480E82-3200D 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CM4X16GC3200C16K4 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link