Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Pontuação geral
star star star star star
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Kingston 9905403-061.A00LF 2GB

Pontuação geral
star star star star star
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB

Diferenças

  • Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
    27 left arrow 57
    Por volta de -111% menor latência
  • Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
    14.6 left arrow 6.8
    Valor médio nos testes
  • Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
    10.5 left arrow 5.5
    Valor médio nos testes
  • Maior largura de banda de memória, mbps
    17000 left arrow 10600
    Por volta de 1.6 maior largura de banda

Especificações

Lista completa de especificações técnicas
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Características principais
  • Tipo de memória
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latência em PassMark, ns
    57 left arrow 27
  • Velocidade de leitura, GB/s
    6.8 left arrow 14.6
  • Velocidade de escrita, GB/s
    5.5 left arrow 10.5
  • Largura de banda de memória, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Descrição
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
  • Tempos / Velocidade do relógio
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
    1244 left arrow 2409
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparações