RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сравнить
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB против Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
66
Около 59% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.9
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
66
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2418
1877
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-YK03 32GB
Kingston K531R8-ETF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESC.M16FE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C16 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905678-177.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link