RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
40
Около 55% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
9.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.1
6.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
18
40
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
9.1
Скорость записи, Гб/сек
13.1
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2926
2031
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB Сравнения RAM
Super Talent L89 11/2011 LOGIN. 4GB
Samsung M393B1K70EB0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Kingston 9905630-063.A00G 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3000C15 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link