RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB против SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около 27% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2222
3082
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB Сравнения RAM
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6TFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64AZ-3G2B1 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Maxsun MSD44G24Q3 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link