Kingston 9905469-143.A00LF 4GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Средняя оценка

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Причины выбрать
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 37

Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения

13.2 13

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.4 7.9

Среднее значение в тестах

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 9905469-143.A00LF 4GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

27 37
Скорость чтения, Гб/сек

13.2 13.0
Скорость записи, Гб/сек

8.4 7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2163 2512

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

Micron Technology AFSD416ES1P 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

Samsung M386A8K40BMB-CPB 64GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N-UH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6MFR8N

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Kingston 9905622-055.A00G 4GB

Kingston 9905622-055.A00G 4GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBD2 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

Kingston KHX2400C15/8G 8GB

модули RAM