RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
73
Около -135% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
31
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
15.6
Скорость записи, Гб/сек
4.7
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2316
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Samsung M378B5173QH0-CK0 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX4266C19D4/8GX 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZRA 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BPGS 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link