RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB против Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
73
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
6.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.9
4.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
38
Скорость чтения, Гб/сек
6.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
4.7
10.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1021
2829
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-029.A00LF 2GB
Essencore Limited IMT451U6MFR8Y-EC1 4GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M378A1G44AB0-CWE 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Samsung M378A1G44BB0-CWE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link