RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
38
Около -111% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.7
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.4
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
18
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
20.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
3722
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link