RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
38
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
12.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.9
16.5
Скорость записи, Гб/сек
8.3
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2144
2913
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2K70DM0-CF8 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W2E 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Kingston CBD26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link