RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сравнить
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB против Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Средняя оценка
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
52
Около 29% меньшая задержка
Причины выбрать
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
20.5
12
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.1
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
52
Скорость чтения, Гб/сек
12.0
20.5
Скорость записи, Гб/сек
7.5
10.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1853
2472
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905471-017.A00LF 4GB
Corsair CMD8GX3M2A1600C8 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Transcend Information TS512MSH64V1H 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Team Group Inc. TEANGROUP-UD4-2400 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 99U5723-002.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M393A2K43CB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FADG 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link