RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сравнить
Kingston 9905702-010.A00G 8GB против G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
30
Около -67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.9
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
11.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.9
Скорость записи, Гб/сек
11.1
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2792
3421
Kingston 9905702-010.A00G 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMSO16GX4M2A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link