RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Сравнить
Kingston 9905702-119.A00G 8GB против AMD R748G2606U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Средняя оценка
AMD R748G2606U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
61
Около 38% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.2
8.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
AMD R748G2606U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9905702-119.A00G 8GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
61
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
15.0
Скорость записи, Гб/сек
9.2
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
19200
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2530
2028
Kingston 9905702-119.A00G 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMR128GX4M8X3800C19 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link