RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
30
Около 10% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.5
13.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.6
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2374
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMT42GR7MFR4A-PB 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDR2 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FHP 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link