RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3356
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FE 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
KingSpec KingSpec 16GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link