RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
31
Около 19% меньшая задержка
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
18.9
16.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
31
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
10.1
14.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3356
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Kllisre M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link