RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB против Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.6
6.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
27
Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.4
13.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
24
Скорость чтения, Гб/сек
13.2
13.4
Скорость записи, Гб/сек
8.6
6.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2196
2078
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C18 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link