RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сравнить
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB против Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
69
Около -138% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.7
6.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.5
3.7
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
69
29
Скорость чтения, Гб/сек
6.4
16.7
Скорость записи, Гб/сек
3.7
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1129
3076
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Samsung M391B5773DH0-CK0 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT51264BF160B.M16F 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905622-025.A01G 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link