RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сравнить
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB против Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
29
Около -32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
6.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.8
18.0
Скорость записи, Гб/сек
6.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1983
3110
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB Сравнения RAM
Kingston 99P5471-033.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link