Kingston 99U5403-036.A00G 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

-->

Средняя оценка

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Причины выбрать
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 28

Около 11% меньшая задержка

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

19 15.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.2 9.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

25 28
Скорость чтения, Гб/сек

15.7 19.0
Скорость записи, Гб/сек

9.8 14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2388 3651

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB

модули RAM

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB

модули RAM

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB

модули RAM

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Kingston 9905403-515.A00LF 8GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB

Corsair CMT32GX4M2C3200C16 16GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

Kingston 9905678-027.A00G 8GB

модули RAM

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Mushkin 991988 (996988) 4GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB

модули RAM