RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
73
Около 60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
73
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
1724
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT102464BD160B.M16 8GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link