Comparación de la memoria RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Puntuación global

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

29 73

En 60% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.8 15.1

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.8 7.9

Valor medio en las pruebas

Razones a tener en cuenta
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

19200 17000

En 1.13 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Principales características

Other

Descripción

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2711 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns