Comparaison de la RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Note globale

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 73

Autour de 60% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

15.8 15.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 7.9

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

19200 17000

Autour de 1.13 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2711 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns