Comparação RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Pontuação geral

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

29 73

Por volta de 60% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

15.8 15.1

Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

11.8 7.9

Valor médio nos testes

Razões a considerar
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Maior largura de banda de memória, mbps

19200 17000

Por volta de 1.13 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

2711 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns