Confronto tra le RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Punteggio complessivo

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Punteggio complessivo

Differenze Specifiche tecniche Commenti

Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns

29 73

Intorno 60% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s

15.8 15.1

Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s

11.8 7.9

Valore medio nei test

Motivi da considerare
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Larghezza di banda di memoria superiore, mbps

19200 17000

Intorno 1.13 larghezza di banda superiore

Elenco completo delle specifiche tecniche

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Caratteristiche principali

Other

Descrizione

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)

2711 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns