Porównanie pamięci RAM Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

29 73

Wokół strony 60% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

15.8 15.1

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

11.8 7.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 17000

Wokół strony 1.13 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

2711 1724

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns