RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
11.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
75
Около -127% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
2,036.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
75
33
Скорость чтения, Гб/сек
3,986.4
11.6
Скорость записи, Гб/сек
2,036.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
714
2227
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB Сравнения RAM
Samsung M378T5663DZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3000C15 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link