RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сравнить
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB против Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Средняя оценка
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
3
12.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
73
Около -181% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.7
1,423.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
73
26
Скорость чтения, Гб/сек
3,510.5
12.6
Скорость записи, Гб/сек
1,423.3
8.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
476
2257
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14/8G 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FF 4GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link