RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Сравнить
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB против Kingston 9965640-001.C00G 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Средняя оценка
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
32
Около 16% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
7.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
10.1
Скорость записи, Гб/сек
9.1
7.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2324
2050
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology ST51264BA1339.16FM 4GB
Kingston KHX1600C10D3/4G 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston 9965640-001.C00G 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9965589-017.D00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMW64GX4M8C3000C15 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link