RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сравнить
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.8
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
42
Около -75% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
24
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
12.7
Скорость записи, Гб/сек
8.3
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2095
2256
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD102408-2133 16GB Сравнения RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905702-020.A00G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link