RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB против Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
38
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.2
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
12.0
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.5
20.2
Скорость записи, Гб/сек
12.0
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2283
3559
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMWB8G1L3200K16W4 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905625-066.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link