RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
32
Около 19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
32
Скорость чтения, Гб/сек
16.2
15.4
Скорость записи, Гб/сек
12.6
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2955
2933
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB Сравнения RAM
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2X8G64CB8HB5N-DG 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905700-024.A00G 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-3200 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR4N
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link