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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
総合得点
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
相違点
仕様
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相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
26
32
周辺 19% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.2
15.4
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
12.6
12.2
テスト平均値
考慮すべき理由
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR4
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
26
32
読み出し速度、GB/s
16.2
15.4
書き込み速度、GB/秒
12.6
12.2
メモリ帯域幅、mbps
21300
21300
Other
商品説明
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
タイミング / クロック速度
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
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