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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Gesamtnote
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
32
Rund um 19% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.2
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
26
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.2
15.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
12.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
21300
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2955
2933
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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