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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Différences
Spécifications
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Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
32
Autour de 19% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.6
12.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
32
Vitesse de lecture, GB/s
16.2
15.4
Vitesse d'écriture, GB/s
12.6
12.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
21300
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2955
2933
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CAS Latency (CL) *
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