RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сравнить
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB против Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
42
Около -45% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.3
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2095
2711
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905402-664.A00LF 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Samsung M393B5170DZ1-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78H8H-2666 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link