RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
31
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
13.2
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3217
3814
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Mushkin 99[2/7/4]199F 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Kingston 9965662-013.A01G 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Mushkin MR[A/B]280HHHH16G 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link