RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
31
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
13.2
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3217
3814
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZN 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88A2B-3C 512MB
Kingston X75V1H-MIE 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZ 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link