RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сравнить
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
31
Около -72% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
15.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.2
13.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
31
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.2
20.4
Скорость записи, Гб/сек
13.2
17.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
19200
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3217
3814
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB Сравнения RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905663-006.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FD 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FR 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link