Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Различия

  • Выше пропускная способность
    21300 left arrow 19200
    Около 1.11% выше полоса пропускания
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    18 left arrow 31
    Около -72% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    20.4 left arrow 15.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    17.2 left arrow 13.2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    31 left arrow 18
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.2 left arrow 20.4
  • Скорость записи, Гб/сек
    13.2 left arrow 17.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    3217 left arrow 3814
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения