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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Vergleichen Sie
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Rund um 1.11% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
18
31
Rund um -72% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
20.4
15.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
17.2
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
31
18
Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.2
20.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
17.2
Speicherbandbreite, mbps
21300
19200
Other
Beschreibung
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
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