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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Comparez
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Note globale
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Note globale
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
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Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
18
31
Autour de -72% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
20.4
15.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
13.2
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
31
18
Vitesse de lecture, GB/s
15.2
20.4
Vitesse d'écriture, GB/s
13.2
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
21300
19200
Other
Description
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3217
3814
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RAM 2
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Frequency (Mhz) *
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