Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

総合得点
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

総合得点
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

相違点

  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
    周辺 1.11% 高帯域
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    18 left arrow 31
    周辺 -72% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    20.4 left arrow 15.2
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    17.2 left arrow 13.2
    テスト平均値

仕様

技術仕様の完全リスト
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR4 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    31 left arrow 18
  • 読み出し速度、GB/s
    15.2 left arrow 20.4
  • 書き込み速度、GB/秒
    13.2 left arrow 17.2
  • メモリ帯域幅、mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • 商品説明
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • タイミング / クロック速度
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
    3217 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較