Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB

Wynik ogólny
star star star star star
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB

Różnice

  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
    Wokół strony 1.11% większa szerokość pasma
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    18 left arrow 31
    Wokół strony -72% niższe opóźnienia
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    20.4 left arrow 15.2
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    17.2 left arrow 13.2
    Średnia wartość w badaniach

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    31 left arrow 18
  • Prędkość odczytu, GB/s
    15.2 left arrow 20.4
  • Prędkość zapisu, GB/s
    13.2 left arrow 17.2
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 19200
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    3217 left arrow 3814
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania