RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сравнить
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB против OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Средняя оценка
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
41
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
12.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
27
Скорость чтения, Гб/сек
12.7
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.5
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2039
3692
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 99U5702-095.A00G 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link