RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB против Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Средняя оценка
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
52
Около 52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
10
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.8
7.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
52
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
10.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1995
2306
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Kingston 99U5474-016.A00LF 4GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link