RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сравнить
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Средняя оценка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около 30% меньшая задержка
Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16
13
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
9.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
26
37
Скорость чтения, Гб/сек
13.0
16.0
Скорость записи, Гб/сек
9.5
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2030
2808
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C14 Series 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link