RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Porównaj
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Wynik ogólny
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Wynik ogólny
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
13
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
13.0
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2030
2808
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRS 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6CJR6N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link