RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сравнить
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Средняя оценка
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
73
Около 63% меньшая задержка
Причины выбрать
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.1
12.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
7.9
7.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
73
Скорость чтения, Гб/сек
12.8
15.1
Скорость записи, Гб/сек
7.5
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2032
1724
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Mushkin MR[A/B]4U346GJJM8G 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
Kingston ACR32D4U2S8HD-8X 8GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FA 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link