RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.6
12.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
39
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
39
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
12.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
9.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1954
2443
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
King Tiger Technology Tigo-2133Mhz-8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FBD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link