RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сравнить
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
37
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.1
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
26
Скорость чтения, Гб/сек
13.7
18.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2102
3061
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB Сравнения RAM
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRK 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002 32GB
Kingston 1G-SODIMM 1GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link